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微彩网登录-微彩-许多国家将第三代半导体材料列入国家

第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

华为瞄准第三代半导体材料 这些上市公司已率先布局

华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。

IC 逢低做多IC加权上周回升后维持振荡走势,本周一跳空低开后振荡回升走势反映市场略偏强,有望站上年线。多条均线粘连支撑明显,目前主连合约减仓幅度不小,但明显弱于其他品种,基差较前期变化不大。MACD指标红柱有收窄趋势,加上量能小幅放大,后市短线建议逢低做多,中线仍建议观望为主。 (中电投先融期货 田瑞)

目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟, 致力于研发第三代功率半导体功率器件。

碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。

在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从2004年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中,明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。

IF 走势承压上周IF加权受利好消息提振后维持振荡走势,日K暂站上短期均线,但日内量能未有效支撑市场。本周一受利空打压,市场大幅低开后维持振荡,目前主连合约较现货指数贴水未见明显收窄,基差变动有限,同时主连合约出现大幅减仓。目前IF加权MACD指标红柱收窄,在利空打压下本周市场不容乐观,判断后市反弹后可能再度转跌,关注3700点附近支撑力度。后市建议短线维持观望,逢高抛空。

IF走势承压 IC逢低做多

自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

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